Toshiba Corporation, reforzando su liderazgo en el desarrollo y fabricación de vanguardia, de memoria flash de alta densidad NAND, anunció hoy que se empezarán a distribuir productos de memoria flash NAND fabricado con tecnología de proceso de 32nm. Las muestras de la primera generación de 32nm, de 32-gigabits (Gb) o lo que es lo mismo 4GB, están disponibles a partir de hoy, así como el chip de 16 Gb (2 GB) estará disponible en julio en Japón.
Los primeros chips de 32 Gb se usarán para tarjetas de memoria y memorias USB.Toshiba es líder en la industria en la aplicación de tecnología de proceso de 43nm en productos de 32GB, en una pila de ocho chips de memoria flash NAND de 32 Gb.
La aplicación de la avanzada tecnología de proceso de 32nm reducirá aún más el tamaño de los chips, permitiendo a Toshiba impulsar la productividad y lograr nuevas mejoras en productos de alta densidad, y reducido tamaño.A medida que más teléfonos móviles y equipos móviles pueden reproducir vídeo y películas, la demanda por una mayor densidad, y por productos de memoria de tamaño más pequeño está creciendo fuertemente. Liderando la industria en la transición a una geometría más fina, Toshiba apunta a reforzar y ampliar su liderazgo en el mercado de memoria flash NAND.Toshiba empezará la producción masiva de memorias flash NAND de 32 Gb, en julio de 2009, dos meses antes de lo que tenía planeado. Los productos de 16 Gb comenzarán a enviarse a partir del tercer trimestre de 2009 (octubre a diciembre de 2009). Los nuevos chips serán producidos en la sede de Yokkaichi Operations de Toshiba, en la prefectura de Mie, Japón.Al acelerar el proceso de migración y la integración de múltiples tecnologías de nivel de células, y a través de los continuos avances de la productividad, Toshiba pretende mejorar su competitividad en el negocio de la memoria.Vía
